[发明专利]增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910074410.X | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101556969A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 冯志宏;李佳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/06;H01L23/36;H01L21/338 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051河北省石家庄市合作路1*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法，本发明首先在衬底上生长p型导电性的碳化硅缓冲层，接着在缓冲层上生长n型外延层，然后在n型外延层中形成隔离区，再在隔离区两侧的n型外延层上生成欧姆接触，最后在隔离区上生成肖特基接触，本发明应用在数字电路设计中，会大大简化了逻辑电路的设计，同时在数字电路中，增强型(E-Mode)和耗尽型(D-Mode)碳化硅场效应晶体管相结合，可以集成为直接耦合型场效应晶体管逻辑(DCFL)电路，增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管的应用可消除负偏压的电路设计，使得电路简单化，减少了电路设计的复杂性、减少电路的面积和制备的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 碳化硅 金属 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管，其特征在于：包括衬底(1)、位于衬底(1)上的n型外延层(3)，在n型外延层(3)中形成的隔离区(4)，在隔离区(4)两侧的n型外延层(3)上形成的欧姆接触(5)、(6)，分别为源区和漏区，在隔离区(4)上形成的肖特基接触(7)。
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