[发明专利]准平面高速双色铟镓砷光电探测器及其制造方法

摘要

本发明属半导体光电器件领域，具体涉及一种准平面高速双色铟镓砷光电探测器及其制造方法，本发明方法采用准平面结构，即采用平面扩散工艺实现PN结功能，结合光刻工艺和台面腐蚀工艺，实现包裹PN结于台面内的准平面结构，同时将压焊点制作在台面下的半绝缘衬底上。采用本方法制备的器件兼容了平面扩散技术具有的暗电流小、可靠性高等特征和台面技术具有的光敏面大、寄生电容小和传输速率高等优势，本发明的方法容易实现光敏面大、暗电流小且传输速率大于10Gb/s的高速铟镓砷光电探测器，不仅提高了在短波850nm的响应度，而且保持了长波1310～1550nm的高响应特性，实现了在短波850nm也有较高响应的双色光电探测器。

主权项

1、一种准平面高速双色铟镓砷光电探测器，包括半绝缘InP衬底，在半绝缘InP衬底上依次生长的N-InP欧姆接触层、不掺杂InGaAs吸收层、N-InP窗口层，在N-InP窗口层上通过光刻、Zn扩散形成的平面型PN结，在Zn扩散区域形成环形的P型欧姆接触金属层，其特征在于：在Zn扩散区域的环形欧姆接触金属层中的圆形区域生长有增透膜，Zn扩散区域及其周边部分区域与N-InP欧姆接触层构成台面结构，N型欧姆接触金属层生成在N-InP欧姆接触层台面上，N-InP欧姆接触层与半绝缘InP衬底构成台面结构，压焊点位于半绝缘InP衬底之上的钝化膜上。