[发明专利]抑制激子态改善有机场致发光亮度的器件无效
| 申请号： | 200910076205.7 | 申请日： | 2009-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101459225A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 徐征;赵谡玲;张福俊;徐叙瑢 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100044北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制激子态改善有机场致发光亮度的器件，该器件的结构：Al/SiO2/Au/P型OEL/ITO。在SiO2层(4)及P型OEL层(2)之间为一半透电子的Au电极(3)，分别用两个独立的直流电源激发，使过热电子激发能量大到透过Au电极，碰撞激发P型OEL；SiO2层的厚为500nm，电压V1为50～200V；P型OEL层的厚度为30nm，电压V2为3～15V，使P型OEL的激子彻底离化，实现P型OEL发光。本发明所获得的发光只有扩展态发光，用于电场诱导有机场致发光量子效率及亮度的提高。加在SiO2层的电压提高时，扩展态的发光单调上升。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 激子 改善 机场 发光 亮度 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种抑制激子态改善有机场致发光亮度的器件，其特征于，该器的结构：Al/SiO2/Au/P型OEL/ITO在SiO2层(4)及P型OEL(2)之间为一半透电子的Au(3)电极，分别用两个独立的直流电源激发SiO2层及P型OEL层；使过热电子的激发能量透过半透电子的Au电极，碰撞激发P型OEL层；SiO2层(4)的厚为500nm，电压V1为50～200V；P型OEL层(2)的厚度30nm，电压V2为3～15V，实现P型OEL发光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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