[发明专利]一种促进黄瓜生长的方法及其专用培养基无效
| 申请号： | 200910076246.6 | 申请日： | 2009-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101773060A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 张文浩;李银心;王宝兰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院植物研究所 |
| 主分类号： | A01G31/00 | 分类号： | A01G31/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100093北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种促进黄瓜生长的方法及其专用培养基。本发明提供的促进黄瓜生长的专用培养基中，除植物必须的大量和微量元素外，还加入能够调节植物生长的物质腐胺。本发明提供的促进黄瓜生长的方法，是在盐胁迫的条件下，利用上述本发明提供的促进黄瓜生长的培养基对黄瓜进行培养。腐胺的使用浓度为10-100μm，优选50μm。该培养基能够提高盐渍条件下黄瓜的生长情况，从而提高资源的利用率，为盐渍化地区的蔬菜生产提供保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 促进 黄瓜 生长 方法 及其 专用 培养基 | ||
【主权项】：
一种促进黄瓜生长的专用培养基，包括H3BO3、MnCl2·4H2O、CuSO4·5H2O、ZnSO4·7H2O、Na2MoO4·2H2O、MgSO4·7H2O、KNO3、Ca(NO3)2·4H2O和Fe-EDTA，其特征在于：所述专用培养基还包括腐胺；所述各组分的摩尔浓度如下所示：H3BO3：20-100μM；MnCl2·4H2O：5-10μM；CuSO4·5H2O：0.2-0.5μM；ZnSO4·7H2O：0.5-1μM；Na2MoO4·2H2O：0.1-1μM；MgSO4·7H2O：1-2.5mM；KNO3：3-5mM；Ca(NO3)2·4H2O：2-4mM；Fe-EDTA：50-100μM；腐胺：10-100μM。
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