[发明专利]一种半导体刻蚀工艺的终点控制方法和装置有效
| 申请号： | 200910076958.8 | 申请日： | 2009-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101465289B | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张善贵 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 李艳 |
| 地址： | 100016 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体刻蚀工艺的终点控制方法，包括：获取实时的光学干涉探测谱线；在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰信号和/或波谷信号，进而获得本次工艺的刻蚀周期；依据本次工艺所需刻蚀的厚度、单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度以及本次工艺的刻蚀周期，对本次刻蚀工艺进行终点控制。本发明在利用IEP探测谱线抓取工艺终点的过程中，采用了针对IEP探测谱线搜索波峰波谷的计算过程，而避免采用一些复杂算法(例如，时域信号和频域信号相互转换的傅立叶变换等等)，其计算量相对较小，不但可以实现层内工艺终点的控制，而且不容易造成所抓取的工艺终点时间的延时，更加准确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 刻蚀 工艺 终点 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体刻蚀工艺的终点控制方法，其特征在于，包括：获取实时的光学干涉探测谱线；在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰信号和/或波谷信号，进而获得本次工艺的刻蚀周期；依据本次工艺所需刻蚀的厚度、单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度以及本次工艺的刻蚀周期，对本次刻蚀工艺进行终点控制，其中，通过下述方式在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰信号和/或波谷信号：判断光学干涉探测谱线中光谱信号的变化趋势；若光谱信号先呈现出上升的趋势，则启动以波峰搜索开头的波峰波谷相间的搜索过程；若光谱信号先呈现出下降的趋势，则启动以波谷搜索开头的波峰波谷相间的搜索过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
