[发明专利]倾斜式生长形貌可控的纳米发光柱状薄膜的方法及装置无效
| 申请号： | 200910077117.9 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101463464A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 张福俊;徐征;卢丽芳;赵谡玲;王永生 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100044北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 倾斜式生长形貌可控的纳米发光柱状薄膜的方法及装置，该装置包括：蒸发源(6)、衬底支架(2)、红外灯(9)及真空腔(7)；衬底支架(2)垂直于电机轴固定于电机轴端上；真空电机支架(3)固定于真空腔(7)的顶上，真空电机(1)与真空电机支架(3)连接，按蒸发粒子流(5)与衬底(4)法线夹角0～90度，通过锁栓(8)固定真空电机支架(3)上。纳米发光柱状薄膜的方法，启动真空电机(1)，使衬底支架旋转速度每分钟1～3转；给红外灯通电，给衬底加热到100～200度；发光材料的蒸发速率在0.1～0.2nm/s，制备的纳米发光柱状薄膜的厚度为100～300nm。用于光电子器件中作为功能层。 | ||
| 搜索关键词： | 倾斜 生长 形貌 可控 纳米 发光 柱状 薄膜 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 倾斜式生长形貌可控的纳米发光柱状薄膜的装置，该装置包括：蒸发源(6)、衬底支架(2)、红外灯(9)及真空腔(7)；其特征是，衬底支架(2)垂直于真空电机轴固定于真空电机轴端上；真空电机支架(3)固定于真空腔(7)的顶上，真空电机(1)与真空电机支架(3)连接，按蒸发粒子流(5)与衬底(4)法线夹角在0～90度的范围，通过锁栓(8)固定真空电机支架(3)上。
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