[发明专利]透明的电阻型非易失性存储器无效
| 申请号： | 200910077203.X | 申请日： | 2009-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101478031A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 孟洋;赵宏武;张培健;刘紫玉;廖昭亮;潘新宇;梁学锦;陈东敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种完全透明的非易失性存储器，该存储器包括：透明衬底，形成在所述衬底上面的透明的底部电极层，形成在所述底部电极上的透明记录介质层，以及形成在透明记录介质层上面的透明的顶部电极层，其中，透明衬底为绝缘体，透明记录介质层具有可变电阻的性质。本发明透明存储器不但具备RRAM的特点，而且具有良好的透光特性，从而可广泛应用于光电显示、光电存储以及其它“透明”电子产品领域，为光学产品和存储器的集成化提供了有效的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 电阻 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1、一种完全透明的非易失性存储器，其特征在于，该存储器包括：透明衬底，形成在所述衬底上面的透明的底部电极层，形成在所述底部电极上的透明记录介质层，以及形成在透明记录介质层上面的透明的顶部电极层，其中，透明衬底为绝缘体，透明记录介质层具有可变电阻的性质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910077203.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种保护小室屏蔽体的设计方法
- 下一篇：变压器器身用装配架
