[发明专利]利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法有效
| 申请号： | 200910077360.0 | 申请日： | 2009-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101814531A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 万里兮;吕垚;李宝霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法。该电容器以一块半导体作为基材，其电容是半导体PN结的结电容，具体包括：在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特定区域内形成的PN结；在形成PN结的半导体的N型区域和P型区域上采用热蒸发法、电子束蒸发法或溅射法制作的一金属膜层；在该金属膜层上采用电镀方法或丝网印刷方法制作的电极凸点；根据实际需要，引出电极可以在半导体基材的两面，或者只在刻蚀区面。本发明制作的电容器，具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺过程简单等优点，该电容还具有对静电和电涌的防护功能，可广泛用于高频高速高功率电子系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 半导体 pn 电容 构成 电容器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种利用半导体PN结结电容构成的电容器，其特征在于，该电容器以一块半导体作为基材，其电容是半导体PN结的结电容，具体包括：在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特定区域内形成的PN结；在形成PN结的半导体的N型区域和P型区域上采用热蒸发法、电子束蒸发法或溅射法制作的一金属膜层；在该金属膜层上采用电镀方法或丝网印刷方法制作的电极凸点；以及在半导体基材的两面或者只在刻蚀区面引出的电极。
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