[发明专利]一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法无效
| 申请号： | 200910077519.9 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101783393A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 商立伟;刘明;姬濯宇;刘舸;刘兴华;柳江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法，该方法包括：步骤1、在亲水性的绝缘层或介质层表面形成高疏水性粘附层图形；步骤2、在形成高疏水性粘附层图形的绝缘层或介质层表面沉积有机半导体溶液，该有机半导体溶液自动迁移到没有高疏水性黏附层的区域；步骤3、烘烤除去溶剂，形成图形化的有机半导体薄膜。由于高表面能，液相材料不能附着在高疏水性粘附层表面，而是自然地向没有高疏水性粘附层的地方迁移，从而能够复制高疏水性粘附层的图形。该方法工艺步骤简单，能够实现自对准，是一种低成本的有机半导体图形化方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 有机 场效应 晶体管 有源 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在亲水性的绝缘层或介质层表面形成高疏水性粘附层图形；步骤2、在形成高疏水性粘附层图形的绝缘层或介质层表面沉积有机半导体溶液，该有机半导体溶液自动迁移到没有高疏水性黏附层的区域；步骤3、烘烤除去溶剂，形成图形化的有机半导体薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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