[发明专利]一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路有效
| 申请号： | 200910077527.3 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101783183A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 余兆安;龙世兵;刘明;张森;刘琦;柳江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路，该限流电路至少包括电压比较器、单刀双掷模拟开关、RRAM器件和限流MOS管；其中，读写擦脉冲信号被分为两路输入到本电路中，一路信号输入到电压比较器中，用于区分读写擦电压，依据读写擦脉冲信号的操作电平来调节所述电压比较器的参考电压，并将所述电压比较器输出的电平作为所述单刀双掷模拟开关的控制信号，通过此控制信号，来决定在此操作电压下是否选通到所述限流MOS管支路或接地；另一路信号直接加到待测的RRAM器件上，提供操作电压。利用本发明，完成了对RRAM存储器的限流测试，并可靠地测出制备的存储器样片的性能指标，解决了RRAM存储器在脉冲测试方式下set过程的限流问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 测试 存储器 性能指标 限流 电路 | ||
【主权项】：
一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路，其特征在于，该限流电路至少包括电压比较器、单刀双掷模拟开关、RRAM器件和限流MOS管；其中，读写擦脉冲信号被分为两路输入到本电路中，一路信号输入到电压比较器中，用于区分读写擦电压，依据读写擦脉冲信号的操作电平来调节所述电压比较器的参考电压，并将所述电压比较器输出的电平作为所述单刀双掷模拟开关的控制信号，通过此控制信号，来决定在此操作电压下是否选通到所述限流MOS管支路或接地；另一路信号直接加到待测的RRAM器件上，提供操作电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910077527.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：PCI设备的I/O空间请求抑制方法
- 下一篇：光带及其形成方法
