[发明专利]一种镍-自对准硅化物的制备方法无效
| 申请号： | 200910077621.9 | 申请日： | 2009-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101800171A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 尚海平;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/318;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镍-自对准硅化物的制备方法，该方法包括：步骤1：采用氮化钛/镍/硅固相反应结构，通过镍与硅的固相反应生长硅化镍薄膜；步骤2：采用氢氟酸/异丙醇溶液对硅片进行清洗；步骤3：溅射氮化钛/镍膜前对真空腔及硅片进行退火处理；步骤4：在硅片上溅射氮化钛/镍复合金属膜；步骤5：采用镍-自对准硅化物工艺形成镍化硅。本发明提供的这种镍-自对准硅化物的制备方法，可利用现有的设备，具有工艺简单、易行、成本低和没有环境污染的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 硅化物 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镍-自对准硅化物的制备方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：采用氮化钛/镍/硅固相反应结构，通过镍与硅的固相反应生长硅化镍薄膜；步骤2：采用氢氟酸/异丙醇溶液对硅片进行清洗；步骤3：溅射氮化钛/镍膜前对真空腔及硅片进行退火处理；步骤4：在硅片上溅射氮化钛/镍复合金属膜；步骤5：采用镍-自对准硅化物工艺形成镍化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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