[发明专利]一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法有效
| 申请号： | 200910077625.7 | 申请日： | 2009-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101800167A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 胡爱斌;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L29/92;H01L21/318 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在锗衬底上制备MOS电容的方法，包括：清洗锗片；在清洗后的锗片上采用射频磁控反应溅射的方法在氩气和氮气的氛围中依次淀积氮化硅薄膜和氮化铪薄膜；然后在氮气的氛围中快速热退火；接着通过涂胶、曝光和显影形成光刻胶的图形；然后采用射频磁控反应溅射的方法淀积金属电极材料；对金属电极材料进行剥离以形成电极图形；在锗衬底的背面溅射一层金属铝以降低背面的接触电阻；最后在氮气的氛围中在炉管中退火金属化。本发明将氮化硅薄膜作为扩散阻挡层，解决了在栅介质淀积后的退火和金属电极形成后的退火过程中生成含有大量缺陷态的锗的氧化物的问题，降低了界面处的固定电荷和电荷俘获中心，获得电学性能优异的MOS电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 制备 金属 氧化物 半导体 电容 方法 | ||
【主权项】：
一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法，其特征在于，该方法包括：清洗锗片；在清洗后的锗片上采用射频磁控反应溅射的方法在氩气和氮气的氛围中依次淀积氮化硅薄膜和氮化铪薄膜；在氮气的氛围中快速热退火；在退火后的锗片上形成光刻胶的图形；采用射频磁控反应溅射的方法淀积金属电极材料；对金属电极材料进行剥离以形成电极图形；在锗衬底的背面溅射一层金属铝以降低背面的接触电阻；在氮气的氛围中在炉管中退火金属化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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