[发明专利]一种控制溶液晶体生长速率的方法无效
| 申请号： | 200910077647.3 | 申请日： | 2009-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN101503818A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 宋友庭;陈万春;陈小龙;王皖燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B7/04 | 分类号： | C30B7/04 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制溶液晶体生长速率的方法，其使用由不锈钢筛网—疏水型的微孔滤膜—不锈钢筛网组成的三层结构作为结晶器顶盖的密封件，利用其透气、不透水的功能，并通过溶液蒸发法来控制晶体生长的速率。本发明通过在结晶器顶盖采用由疏水型微孔滤膜和不锈钢筛网组成的三层结构来密封结晶器，溶剂水蒸气可以通过疏水型微孔滤膜，但是液态的水不能通过，可解决生长液的外漏问题，同时通过控制溶液温度，籽晶的截面积，微孔滤膜孔径大小、面积大小，吸附剂用量来控制晶体的生长速度，同时也保证了结晶器的密封性要求，通过设定籽晶面积、生长温度、微孔滤膜的蒸发孔径、蒸发面积和吸附剂用量，即可获得结晶质量较好的单晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 溶液 晶体生长 速率 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制溶液晶体生长速率的方法，其特征在于，该方法使用由不锈钢筛网—疏水型的微孔滤膜—不锈钢筛网组成的三层结构作为结晶器顶盖的密封件，利用其透气、不透水的功能，并通过溶液蒸发法来控制晶体生长的速率。
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