[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910077686.3 | 申请日： | 2009-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101799603A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;林承武;陈旭;谢振宇;车春城 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述栅线的上方形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极。进一步地，所述存储电极与所述数据线同层设置，所述存储电极通过栅绝缘层薄膜上开设的栅绝缘层过孔与所述栅线连接。所述存储电极分段设置在所述数据线两侧的栅线的上方。本发明通过将存储电极设置在栅线上方，提高了单位面积存储电容，同时不会遮挡像素区域，因此有效提高了开口率和显示亮度，从整体上提高了显示质量。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述栅线的上方形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极。
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