[发明专利]一种用于MLC闪存的灵敏放大器和位线快速充电电路有效
申请号: | 200910077691.4 | 申请日: | 2009-02-11 |
公开(公告)号: | CN101800081A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 苏志强 | 申请(专利权)人: | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
主分类号: | G11C16/24 | 分类号: | G11C16/24;G11C16/26;H03K19/0944 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100084 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于MLC闪存的灵敏放大器和位线快速充电电路,所述位线快速充电电路,用在多层单元闪存的灵敏放大器中,该电路包括与所述阻抗器件并联的ZNMOS晶体管Z3,其栅极与所述反相放大器的输出端相连。本发明通过该ZNMOS晶体管,以在建立过程中旁路阻抗器件的高阻抗,从而加快BL的充电过程;同时避免增加快速充电器件NMOS管后,电压输出端SAIN的电压易被拉到和BL电压很接近的情形,使BL的电压和SAIN端的电压在一次电平建立过程中即可各自稳定在其平衡状态,从而减少了对BL充电的整体时间,使灵敏放大器的整体性能得到了提高。 | ||
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【主权项】:
一种位线快速充电电路,用在多层单元闪存的灵敏放大器中,该电路包括开关器件、用于实现电流电压转换的阻抗器件,以及与存储单元的位线相连的充电器件,所述充电器件包括ZNMOS晶体管Z2和反相放大器,所述阻抗器件的一端与开关器件相连,另一端与ZNMOS晶体管Z2的漏极相连;所述ZNMOS晶体管Z2的源极与所述存储单元的位线相连,栅极与反相放大器的输出端相连;所述反相放大器的输入端与存储单元的位线相连;电压输出端连接在所述阻抗器件和ZNMOS晶体管Z2的漏极之间,其特征在于,该电路还包括:与所述阻抗器件并联的ZNMOS晶体管Z3,其栅极与所述反相放大器的输出端相连。
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