[发明专利]纳米晶浮栅非易失存储器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有多值存储功能的纳米晶浮栅非易失存储器及其制作方法。该包存储器括：硅衬底；在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区；在源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的、由SiO2材料介质和高k材料介质自下而上构成的复合隧穿层；在复合隧穿层上覆盖的第一纳米晶浮栅层；在第一纳米晶浮栅层覆盖的用作双层纳米晶间阻挡层的阻挡层介质；在阻挡层介质上覆盖的第二纳米晶浮栅层；在第二纳米晶浮栅层上覆盖的由高k材料或SiO2材料构成的控制栅介质层；以及在控制栅介质层上覆盖的栅材料层。本发明提高了浮栅非易失存储器的集成密度，综合改善了其存储性能：提高了编程/擦除速度和耐受性、数据保持特性，降低了编程/擦除电压和操作功耗。

主权项

一种具有多值存储功能的纳米晶浮栅非易失存储器，其特征在于，该存储器包括：硅衬底(1)；在硅衬底(1)上重掺杂的源导电区(9)和漏导电区(10)；在源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的、由SiO2材料介质(2)和高k材料介质(3)自下而上构成的复合隧穿层；在复合隧穿层上覆盖的第一纳米晶浮栅层(4)；在第一纳米晶浮栅层(4)上覆盖的用作双层纳米晶间阻挡层的阻挡层介质(5)；在阻挡层介质(5)上覆盖的第二纳米晶浮栅层(6)；在第二纳米晶浮栅层(6)上覆盖的由高k材料或SiO2材料构成的控制栅介质层(7)；以及在控制栅介质层(7)上覆盖的栅材料层(8)。