[发明专利]半色调掩模版及其制造方法有效
申请号: | 200910078205.0 | 申请日: | 2009-02-20 |
公开(公告)号: | CN101813881A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 郭建;周伟峰;明星 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/08 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种半色调掩模版及其制造方法。半色调掩模版包括基板,所述基板包括有效区域和无效区域,所述有效区域包括半色调区域、不透光区域和完全透光区域,所述有效区域以外的区域为所述无效区域,所述半色调区域形成有用于进行透光率调节的半色调区域层。本发明半色调区域层可进行透光率调节,因此,当由于工艺条件发生变化等因素考虑需要调整掩模版的透光率时,本发明可通过半色调区域层进行掩模版的透光率调节,而不需要重新制造掩模版,降低了生产制造成本。 | ||
搜索关键词: | 色调 模版 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半色调掩模版,包括基板,所述基板包括有效区域和无效区域,所述有效区域包括半色调区域、不透光区域和完全透光区域,所述有效区域以外的区域为所述无效区域,其特征在于,所述半色调区域形成有用于进行透光率调节的半色调区域层。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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