[发明专利]聚酯/二氧化硅纳米杂化材料的原位生长制备方法及其产品

摘要

本发明属于有机无机纳米杂化材料的制备领域，特别涉及聚酯/二氧化硅纳米杂化材料的原位生长制备方法及其由该方法获得的产品。本发明的方法是对现有的溶胶-凝胶法进行改进，在聚酯溶液中加入正硅酸酯溶胶溶液，待有机溶剂挥发后进行条件温和的水热处理，使得正硅酸酯的水解缩合反应在聚合物中原位进行。使用本发明提供的聚酯/二氧化硅纳米杂化材料的原位生长制备方法，可以得到粒径为5～200nm的纳米二氧化硅颗粒均匀分散在基体中，且粒径分布较均一的聚酯/二氧化硅纳米杂化材料。本发明的方法与现有技术相比，本发明的方法实现了不需要对纳米二氧化硅进行表面处理就可以达到均匀分散的目的，且工艺简单，反应条件温和。

主权项

一种聚酯/二氧化硅纳米杂化材料的原位生长制备方法，其特征是，该方法包括以下步骤：1)在搅拌状态下，将1～10重量份的正硅酸酯缓慢加入到有机溶剂中，加料完成后继续搅拌，形成浓度为1～20wt％的均匀的正硅酸酯溶胶溶液；2)将步骤1)得到的正硅酸酯溶胶溶液加入到用有机溶剂溶解聚酯配制成的聚酯溶液中，在搅拌下形成聚酯/正硅酸酯溶胶体系，然后脱除体系中的有机溶剂，形成杂化材料前驱体；其中，在聚酯/正硅酸酯溶胶体系中，聚酯的浓度为1～20wt％，正硅酸酯的浓度以二氧化硅计算正硅酸酯在聚酯/正硅酸酯溶胶体系中的含量为0.1～40wt％；3)将步骤2)得到的杂化材料前驱体置入到温度为50～100℃的酸性水溶液或碱性水溶液中进行水热处理后，取出产品，将产品在50～100℃下常压干燥或在50～100℃下真空干燥，即得到聚酯/二氧化硅纳米杂化材料。