[发明专利]一种上转换太阳能电池无效
| 申请号： | 200910078549.1 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101488533A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 赵谡玲;徐征;张福俊;徐叙瑢 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/055 | 分类号： | H01L31/055 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100044北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种上转换太阳能电池，涉及太阳能电池。上转换硅太阳能电池它是直接在硅太阳能电池(2)的背光面，用旋涂或丝网印刷的方法，用纳米上转换发光材料制备的纳米上转换发光层(3)；太阳光(1)从硅太阳能电池(2)的正面入射。所述的纳米上转换发光层(3)的材料为铒离子掺杂的二氧化硅-氟化镧纳米晶玻璃陶瓷，或者是铒离子、镱离子共同掺杂的二氧化硅-氟化镧纳米晶玻璃陶瓷，或者是铒离子掺杂的硫化锌。纳米发光层的厚度为0.5～2微米。该上转换硅太阳能电池把硅太阳能电池不能有效吸收的低能量光子转换成硅太阳能电池可以响应的高能量光子，扩展太阳能电池的光谱响应范围，提高单位面积的太阳光使用效率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 转换 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1. 一种上转换太阳能电池，其特征是：直接在硅太阳能电池(2)的背光面，用旋涂或丝网印刷的方法，用纳米上转换发光材料制备纳米上转换发光层(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
