[发明专利]一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 200910078555.7 | 申请日： | 2009-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101814435A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 付晓君;张海英;徐静波;黎明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/324;B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法，该方法包括：在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质，形成场效应晶体管衬底；在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶，光刻曝光；蒸发源漏金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的源漏；蒸发背面金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的栅极；将ZnO纳米线沉积到已经蒸发源漏金属的场效应晶体管衬底上；进行退火处理，完成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的制备。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 悬浮 zno 纳米 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质，形成场效应晶体管衬底；在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶，光刻曝光；蒸发源漏金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的源漏；蒸发背面金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的栅极；将ZnO纳米线沉积到已经蒸发源漏金属的场效应晶体管衬底上；进行退火处理，完成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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