[发明专利]减小高功率法拉第隔离器热致退偏的设计方法无效
| 申请号： | 200910078813.1 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101493585A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 葛廷武;陆丹;伍剑;徐坤;林金桐 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种减小高功率法拉第隔离器热致退偏的设计方法。通过控制Faraday旋转晶体长度与永磁体磁场强度实现Faraday旋转晶体旋转角度与传统设计角度存在一定的偏移量，偏移量的大小由激光功率决定。这种设计能够补偿高功率隔离器圆双折射引起的退偏。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 功率 法拉第 隔离器 热致退偏 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减小高功率法拉第隔离器热致退偏的设计方法，其特征是：设计Faraday旋转晶体旋转角度与传统设计值有一定的偏离，偏离大小由激光功率决定。
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