[发明专利]阵列基板及制造方法和液晶面板及制造方法有效
| 申请号： | 200910078872.9 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101826488A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 朴相镇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/311;H01L21/78;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种阵列基板及制造方法和液晶面板及制造方法，其中阵列基板包括：显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括：切割区域和其他区域，所述其他区域设有由栅绝缘薄膜和钝化薄膜构成的双层结构，所述切割区域露出基板。从而可以在切割过程当中，有效地克服栅绝缘薄膜和钝化薄膜破损或开裂的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 液晶面板 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，包括：提供一基板，所述基板包括多个液晶面板区域和多个切割区域，所述切割区域位于相邻的所述液晶面板区域之间，以隔离每个所述液晶面板区域；在所述基板上形成栅线和栅电极；在形成有所述栅线和栅电极的所述基板上沉积栅绝缘薄膜，并且在所述栅电极上形成有源层、数据线、源电极、漏电极和沟道；在形成有所述数据线、源电极、漏电极和沟道的所述基板上沉积钝化薄膜，并且在所述漏电极上方的所述钝化薄膜上形成钝化层过孔；在形成有所述钝化层过孔的所述基板上形成通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接的像素电极；其特征在于，在所述基板的切割区域去除所述栅绝缘薄膜和所述钝化薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910078872.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
