[发明专利]软支撑桥式硅微压电超声换能器芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 200910078945.4 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101645484A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 李俊红;汪承灏;刘梦伟;徐联 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | H01L41/083 | 分类号： | H01L41/083;H01L41/18;H01L41/22;H01L41/04;B06B1/06 |
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| 摘要： | 一种软支撑桥式硅微压电超声换能器芯片，其包括：中心设上小下大方锥形孔的硅基片；其正面依次覆有硅层和第一氧化层，背面覆有第二氧化层；硅基片正面方孔之上对应的硅层和第一氧化层构成为方形振动膜，方形振动膜的一对对边分别刻蚀一条贯穿方形振动膜的垂向狭缝，狭缝的垂向投影位于硅基片正面上方孔边缘内侧；依次沉积于方形振动膜上的下电极、压电膜和上电极；沉积于硅基片正面上各部件之上的聚酰亚胺膜；刻蚀有垂向狭缝的方形振动膜和聚酰亚胺膜共同构成软支撑防声漏桥式振动膜；本发明将防声漏桥式结构用于换能器的振动膜中，为避免通过狭缝发生漏声，在狭缝上面沉积软质聚酰亚胺膜，对振动膜振动影响不大，还能保持高的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 桥式硅微 压电 超声 换能器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种软支撑桥式硅微压电超声换能器芯片，其包括：一硅基片(1)；所述硅基片(1)中心设有通过体刻蚀形成的上小下大的方锥形孔；所述硅基片(1)正面上依次覆有一层硅层(2)和第一氧化层(3)，所述硅基片(1)背面上覆有一层第二氧化层(4)；所述第二氧化层(4)中心设有与硅基片(1)背面上的方孔相同尺寸的方孔；所述硅基片(1)正面上方孔之上对应的硅层(2)和第一氧化层(3)为方形振动膜，该方形振动膜的一对对边分别刻蚀一条贯穿硅层(2)和第一氧化层(3)的垂向狭缝(31)，所述垂向狭缝(31)的垂向投影位于所述硅基片(1)的正面上方孔边缘内侧；沉积于所述方形振动膜上并图形化形成的下电极(6)；所述下电极(6)为用真空蒸镀设备或溅射设备制备0.01～1μm厚度的铝下电极，或为由Cr层和Au层构成的Cr/Au复合下电极，或为由Ti层和Pt层构成的Ti/Pt复合下电极；所述Cr层和Ti层厚度均为0.01～0.1μm；所述Au层和Pt层厚度均为0.05～0.5μm；沉积于下电极(6)上并图形化形成的压电膜(7)；沉积于所述压电膜(7)表面上的图形化的上电极(9)；和沉积于所述硅基片(1)上表面上各部件之上的图形化的聚酰亚胺膜(5)；刻蚀有垂向狭缝(31)的方形振动膜和聚酰亚胺膜(5)共同构成软支撑防声漏桥式振动膜。
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