[发明专利]软支撑桥式硅微压电传声器芯片及其制备方法

摘要

一种软支撑桥式硅微压电传声器芯片包括：中心设由上小下大方锥形孔的硅基片，其正面覆有由第一氮化硅膜层、二氧化硅膜层和第二氮化硅膜层构成的方形复合振动膜，硅基片背面依次覆有第三和第四氮化硅膜层；第三和第四氮化硅膜层有中心方孔；振动膜一对对边分别刻蚀一条贯穿振动膜的垂向狭缝，狭缝的垂向投影位于硅基片正面方孔边缘内侧；依次沉积于振动膜上的下电极、压电薄膜和上电极；沉积于硅基片正面各部件上的聚酰亚胺膜；刻蚀有垂向狭缝的复合振动膜和聚酰亚胺膜共同构成软支撑防声漏桥式振动膜；该振动膜两边被固支，振动过程中会产生应变；为防止传声器存在的通过狭缝产生漏声，在狭缝上面沉积软性的聚酰亚胺膜，可有效防止声漏现象。

主权项

1、一种软支撑桥式硅微压电传声器芯片，其特征在于，其包括：一硅基片(1)；所述硅基片(1)中心设有通过体刻蚀形成的上小下大的方锥形孔；所述硅基片(1)正面依次覆有第一氮化硅膜层(2)、二氧化硅膜层(3)、第二氮化硅膜层(4)，所述硅基片(1)背面依次覆有第三氮化硅膜层(5)和第四氮化硅膜层(6)；所述第三氮化硅膜层(5)和第四氮化硅膜层(6)中心设有与硅基片(1)背面上的方孔相同尺寸的方孔；所述硅基片(1)正面方孔之上对应的第一氮化硅膜层(2)、二氧化硅膜层(3)和第二氮化硅膜层(4)构成方形复合振动膜，该方形复合振动膜的一对对边分别刻蚀一条贯穿所述方形复合振动膜的垂向狭缝(41)，所述垂向狭缝(41)的垂向投影位于所述硅基片(1)正面上方孔边缘内侧；沉积于所述方形振动膜上并图形化形成的下电极(8)；所述下电极(8)为用真空蒸镀设备或溅射设备制备的0.01～1μm厚度的铝下电极，或为由Cr层和Au层构成的Cr/Au复合下电极，或为由Ti层和Pt层构成的Ti/Pt复合下电极；所述Cr层和Ti层厚度均为0.01～0.1μm；所述Au层和Pt层厚度均为0.05～0.5μm；沉积于所述下电极(8)上并图形化形成的压电薄膜(9)；沉积于所述压电薄膜(9)表面上的图形化的上电极(11)；沉积于所述硅基片(1)正面上各部件之上的图形化的聚酰亚胺膜(7)；刻蚀有垂向狭缝(41)的方形复合振动膜和聚酰亚胺膜(7)共同构成软支撑防声漏桥式振动膜。