[发明专利]半导体异质结构、其制备方法及半导体装置无效
| 申请号： | 200910079249.5 | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101826549A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 胡凤霞;王晶;孙继荣;沈保根 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/20;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 刘丹妮;郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种不引入其它插层的至少具有单晶硅半导体基片和形成于该单晶硅半导体基片上的钙钛矿锰氧化物的半导体异质结构。本发明还公开了所述半导体异质结构的制备方法。本发明同时公开了包含所述半导体异质结构的半导体装置。根据本发明在硅表面直接生长钙钛矿锰氧化物薄膜，而在生长过程中没有引入其它物质作为缓冲层，不但使制备工艺变得简单，而且消除了因中间插层的引入而引起的界面扩散等问题和缺陷。获得了具有良好整流特性的n-Si/p-R1-xAxMnO3±δ功能异质结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体异质结构，所述的半导体异质结构至少具有单晶硅半导体基片和形成于该单晶硅半导体基片上的钙钛矿锰氧化物，其特征在于，在所述单晶硅半导体基片和形成于该单晶硅半导体基片上的钙钛矿锰氧化物之间不含有其它插入层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910079249.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：柚木脱毒耐寒苗的培育技术
- 下一篇：弓形板组合膜片联轴器
- 同类专利
- 专利分类
