[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910079289.X | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101825815A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括基板和多薄膜层，多薄膜层包括栅线、栅绝缘层、数据线、薄膜晶体管和像素电极，还包括形成在基板和多薄膜层之间的黑矩阵。制造方法包括：采用同一掩模板通过构图工艺在基板上形成包括黑矩阵、栅线和栅电极的图形；沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，形成包括有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；沉积钝化层，形成包括钝化层过孔的图形；沉积透明导电薄膜，形成包括像素电极的图形。本发明通过将黑矩阵形成在TFT-LCD阵列基板上，最大限度地减少了黑矩阵的宽度，有效地提高了TFT-LCD的开口率和显示亮度。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT-LCD阵列基板，包括基板和多薄膜层，多薄膜层包括栅线、栅绝缘层、数据线、薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，还包括形成在所述基板和多薄膜层之间的黑矩阵。
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