[发明专利]有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法有效
申请号: | 200910079292.1 | 申请日: | 2009-03-06 |
公开(公告)号: | CN101826547A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 张弥 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/525;H01L21/84;H01L21/768;G09F9/33 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 曲鹏 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法。有源矩阵有机发光二极管像素结构包括形成在基板上的栅线、公共电极线、信号线、电源线、作为寻址元件的第一薄膜晶体管和用于控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管,栅线、公共电极线、信号线和/或电源线还连接有避免断线发生的条状电极。条状电极包括第一条状电极、第二条状电极、第三条状电极和/或第四条状电极。本发明通过在像素区域内设置条状电极,条状电极与栅线、公共电极线、信号线和/或电源线一起构成梳状结构,减小了发生断线的可能,提高了良品率。 | ||
搜索关键词: | 有源 矩阵 有机 发光二极管 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有源矩阵有机发光二极管像素结构,包括形成在基板上的栅线、公共电极线、信号线、电源线、作为寻址元件的第一薄膜晶体管和用于控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管,其特征在于,所述栅线、公共电极线、信号线和/或电源线还连接有避免断线发生的条状电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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