[发明专利]基于半导体纳米晶与聚合物的复合薄膜的电双稳态器件

摘要

本发明公开了一种基于半导体纳米晶与聚合物的复合薄膜的电双稳态器件，涉及一种光电子器件，它在同一电压下，具有两种不同的导电状态。该器件是在导电衬底(1)为ITO导电玻璃上，依次制作缓冲层(2)，功能有源层(3)和铝电极(4)。缓冲层(2)的材料为磺化聚苯乙烯掺杂的聚3，4-乙烯基二氧噻吩；功能有源层(3)的材料为十二硫醇包覆的硫化亚铜纳米晶和共轭聚合物聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4-亚苯基乙撑)的混合物，二者的比例1∶1至3∶1。基于半导体纳米晶与聚合物的复合薄膜的电双稳态由于其具有低成本，易加工，膜层薄以及电流开关比高的特点，在未来的信息电子工业领域有着广阔的应用前景。

主权项

1. 一种基于半导体纳米晶与聚合物的复合薄膜的电双稳态器件，其特征在于，在导电衬底(1)为ITO导电玻璃上，依次制作缓冲层(2)，功能有源层(3)和铝电极(4)；其中：缓冲层(2)的材料为磺化聚苯乙烯掺杂的聚3，4-乙烯基二氧噻吩；功能有源层(3)的材料为十二硫醇包覆的硫化亚铜纳米晶和共轭聚合物聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4-亚苯基乙撑)的混合物，二者的比例为1∶1至3∶1。