[发明专利]基于（Bi2O3）1-X（Y2O3）X固体电解质薄膜的非挥发记忆元件及其制备方法有效
| 申请号： | 200910079449.0 | 申请日： | 2009-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101834272A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 史磊;尚大山;孙继荣;赵同云;沈保根 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C01G29/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜的非挥发性记忆元件，所述非挥发性记忆元件包括衬底、底电极、(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜和顶电极，其中(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜夹在底电极和顶电极之间，底电极位于所述衬底上，两条引线分别由底电极和顶电极引出，并且(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜中x的范围为0.25＜x＜0.43。该非挥发性记忆元件的厚度为10-1000nm。其中的(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜是利用脉冲激光照射(Bi2O3)1-x(Y2O3)x靶材沉积而成，所述靶材是将Bi2O3粉末和Y2O3粉末混合烧结制备的。本发明的基于(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜的非挥发性记忆元件具有体积小、结构简单、具有非挥发记忆功能、低能耗、无机械运动部件等优点，并且它的性能对氧气压，温度，和化学计量比等制备条件不敏感。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 bi sub 固体 电解质 薄膜 挥发 记忆 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜的非挥发性记忆元件，其特征在于，所述非挥发性记忆元件包括衬底、底电极、(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜、顶电极和两条引线，其中(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜夹在底电极和顶电极之间，底电极位于衬底上，两条引线分别由底电极和顶电极引出，并且(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜中x的取值范围为0.25＜x＜0.43。
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