[发明专利]利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法无效
| 申请号： | 200910079801.0 | 申请日： | 2009-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101834407A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 宋国峰;张宇;汪卫敏;陈熙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/065;H01S5/06;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：在激光器的出光面上制作一层金属薄膜；步骤2：在金属薄膜上涂敷一层液态阻蚀剂；步骤3：把压印模板上的纳米图案压在液态阻蚀剂上；步骤4：采用压印技术，使液态阻蚀剂固化；步骤5：脱模，把纳米图案转移到阻蚀剂上；步骤6：等离子体刻蚀多余阻蚀剂，在金属薄膜表面形成由阻蚀剂构成的纳米图案；步骤7：反应离子刻蚀，把纳米图案转移到金属薄膜上；步骤8：去除剩余的阻蚀剂，完成制备。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 纳米 压印 技术 制备 发射 表面 等离子体 激光器 方法 | ||
【主权项】：
一种利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：在激光器的出光面上制作一层金属薄膜；步骤2：在金属薄膜上涂敷一层液态阻蚀剂；步骤3：把压印模板上的纳米图案压在液态阻蚀剂上；步骤4：采用压印技术，使液态阻蚀剂固化；步骤5：脱模，把纳米图案转移到阻蚀剂上；步骤6：等离子体刻蚀多余阻蚀剂，在金属薄膜表面形成由阻蚀剂构成的纳米图案；步骤7：反应离子刻蚀，把纳米图案转移到金属薄膜上；步骤8：去除剩余的阻蚀剂，完成制备。
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