[发明专利]CMOS/MEMS兼容光谱式气敏传感器有效
| 申请号： | 200910080060.8 | 申请日： | 2009-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101839848A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 景玉鹏;高超群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N21/17 | 分类号： | G01N21/17;G01N21/35 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS/MEMS兼容光谱式气敏传感器，利用待测气体的近红外透射谱进行定性及定量分析。该传感器由红外光源、光子晶体色散棱镜、红外光电检测阵列等部分组成，采用参比结构，通过分析气体近红外透射谱的特征谱线位置来判定气体种类，并由相应的吸光度确定气体浓度。利用本发明，解决了现有MEMS气敏传感器工艺复杂、寿命短的缺点，具有高灵敏度探测能力，且其制作与CMOS工艺兼容，可批量生产，降低成本，并通过集成阵列分析气体浓度梯度。 | ||
| 搜索关键词： | cmos mems 兼容 光谱 式气敏 传感器 | ||
【主权项】：
一种CMOS/MEMS兼容光谱式气敏传感器，利用气体的近红外透射谱确定气体种类和浓度，其特征在于，该传感器由集成在硅衬底上的红外光源(1)、光子晶体色散棱镜(2)、测量气室(3)、参比气室(4)、测量气室红外光电检测阵列(5)和参比气室红外光电检测阵列(6)构成。
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