[发明专利]一种薄膜型热电转换器及测量方法无效
申请号: | 200910080066.5 | 申请日: | 2009-03-18 |
公开(公告)号: | CN101515002A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 钟青;钟源;贺青;张江涛;张钟华;张德实;李正坤;鲁云峰;赵建亭;韩冰 | 申请(专利权)人: | 中国计量科学研究院 |
主分类号: | G01R19/03 | 分类号: | G01R19/03;G01K7/02;H01L35/32;H01L35/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100013北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜型热电转换器及测量方法,涉及电学计量技术,包括以硅片为衬底,利用低压化学气相外延方法在衬底上生长的SiO2-Si3N4-SiO2三层薄膜夹层结构,多次磁控溅射不同材料以及多次光刻、腐蚀制备的热偶、加热器和接触电极;其中,两个加热器并排放置在一个热偶的两侧。本发明的薄膜型热电转换器,测量时,使交流和直流同时分别流过两个加热器,在热偶上输出交流、直流电功率导致的温度差,直接比较交流与直流电功率,使环境温度和温度梯度的变化对测量结果影响大大降低。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 热电 转换器 测量方法 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜型热电转换器,包括衬底、热偶堆、加热器和接触电极;其特征在于,硅片衬底为双面抛光,在衬底的背面有一深槽;在衬底的正面覆盖有SiO2-Si3N4-SiO2三层薄膜夹层结构;在深槽所对应的硅片衬底正面区域内,于三层薄膜夹层结构上,一个热偶堆位于纵向中心,其两脚上下伸出对应的正面区域外,各设有一接触电极;热偶堆两脚的交汇处是热偶堆的温度探头;两个加热器并排纵向分别放置在热偶堆的两侧,两个加热器为U型,U型的两端头伸出对应的正面区域外,在端头处各设有交流或直流电压输入的接触电极;在热偶堆和加热器之上,衬底正面覆有一层SiO2薄膜。
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