[发明专利]带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构无效
| 申请号： | 200910080070.1 | 申请日： | 2009-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101841123A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 熊聪;王俊;崇锋;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/20;H01S5/068;G02B6/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其中包括：一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一第一N型下限制层，该第一N型下限制层制作在缓冲层上；一倒V型耦合光波导层，该倒V型耦合光波导层制作在第一N型下限制层上；一第二N型下限制层，该第二N型下限制层制作在倒V型耦合光波导层上；一下波导层，该下波导层制作在第二N型下限制层上；一有源区，该有源区制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在有源区上；一P型上限制层，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 耦合 波导 发散 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
一种带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其特征在于，其中包括：一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一第一N型下限制层，该第一N型下限制层制作在缓冲层上；一倒V型耦合光波导层，该倒V型耦合光波导层制作在第一N型下限制层上；一第二N型下限制层，该第二N型下限制层制作在倒V型耦合光波导层上；一下波导层，该下波导层制作在第二N型下限制层上；一有源区，该有源区制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在有源区上；一P型上限制层，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上。
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