[发明专利]高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构

摘要

一种高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构，其中包括：一衬底，用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，制作在衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下波导层，制作在N型下限制层上；一有源区，制作在下波导层上；一界面层，制作在有源区上；一P型上限制层，制作在界面层上；一过渡层，制作在P型上限制层上；一电极接触层，制作在过渡层上；一双沟，刻蚀在电极接触层上，刻蚀深度至下波导层以内，在双沟之间形成脊型台面；一钝化膜层，制作在电极接触层的上表面和双沟底部及两侧，所述脊型台面上的钝化膜层为断开的；一P面电极，制作在脊型台面上，与电极接触层接触；一N面电极，制作在衬底的下面。

主权项

一种高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构，其特征在于，其中包括：一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在N型下限制层上；一有源区，该有源区制作在下波导层上；一界面层，该界面层制作在有源区上；一P型上限制层，该P型上限制层制作在界面层上；一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上；一双沟，该双沟刻蚀在电极接触层上，刻蚀深度至下波导层以内，在双沟之间形成脊型台面；一钝化膜层，该钝化膜层制作在电极接触层的上表面和双沟底部及两侧，所述脊型台面上的钝化膜层为断开的；一P面电极，该P面电极制作在脊型台面上，与电极接触层接触；一N面电极，该N面电极制作在衬底的下面。