[发明专利]一种新型多层透明导电膜结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种新型多层透明导电膜结构及其制备方法，是在浮法玻璃基板上，依次制备一个SiO₂过渡层，一个FTO层和一个ZnO基的薄膜层。SiO₂和FTO是通过浮法玻璃的在线APCVD工艺来完成，溅射沉积设备连接在浮法玻璃生产线的降温段，将合适温度的玻璃基本直接送入进样室后开始溅射生长ZnO基的透明导电氧化物薄膜。这样的多层膜具有高的光透过率，同时又不使用湿法工艺，依赖APCVD制备FTO具有绒面结构的特性，直接生成具有绒面结构的ZnO包覆FTO的透明导电双层膜。

主权项

1.一种新型多层透明导电膜结构，包括：基板(1)、SiO2过渡层(2)、FTO层(3)和ZnO基薄膜层(4)。