[发明专利]由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置及方法

摘要

本发明是有关于一种由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置及方法。该装置包括：批次进料室；高温熔融炉；高温震荡炉；高温还原炉；长单晶硅炉。该方法包括以下步骤：a、硅矿石制成硅粉原料；b、原料进入批次进料室；c、经第一PLC控制阀进入高温熔融炉；d、控制高温熔融炉的温度，将达纯度要求的二氧化硅送至高温还原炉；e、高温熔融炉经热裂解与气化排出杂质；f、高温熔融炉底部杂质液体流至高温震荡炉，经震动磁化去除；g、高温震荡炉中达纯度要求的二氧化硅送至高温还原炉；h、高温还原炉中经还原反应获得高纯度硅；i、高温还原炉内硅经回火热处理产生多晶硅送至长单晶硅炉；j、长单晶硅炉产出单晶硅棒。

主权项

一种由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置，其特征在于其包括：一批次进料室(2)，由PLC控制门将其分隔为上室(21)及下室(22)，其中该上室(21)的上端与一真空储料槽装置连接，该下室(22)的下端设有一第一输送管道(A)，且该下室(22)永远保持无空气、无水份的环境；一高温熔融炉(3)，其上端经由一第一PLC控制阀(3a)与该下室(22)下端的该第一输送管道(A)连接，该高温熔融炉(3)的下部设有一第二输送管道(B)，且该第二输送管道(B)在与该高温熔融炉(3)连接的一端上设有一第二PLC控制阀(3b)，在该高温熔融炉(3)的下端设有一第三输送管道(C)，且在该第三输送管道(C)上设有一第三PLC控制阀(3c)，另外在该高温熔融炉(3)的上端通过一第四PLC控制阀(3d)与一杂质处理装置相连；一高温震荡炉(4)，其上端经由该第三PLC控制阀(3c)与该第三输送管道(C)连接，该高温震荡炉(4)的下部设有一第五输送管道(E)，该第五输送管道(E)在与该高温震荡炉(4)连接的一端上设有一第五PLC控制阀(4a)，且该第五输送管道(E)的另一端接入该第二输送管道(B)，该高温震荡炉(4)的下端设有一第六输送管道(F)，该第六输送管道经由一第六PLC控制阀(4b)与一真空室连接；一高温还原炉(5)，其上端的一侧连接该第二输送管道(B)的另一端，该高温还原炉(5)上端的另一侧与一冷凝器及一活性炭吸附装置连接，该高温还原炉(5)下部的一侧通过一第七PLC控制阀(5a)经由一PLC控制阀组(5a1到5an)，与还原剂1到n连接，该高温还原炉(5)下部的另一侧设有一第八输送管道(H)，且在该第八输送管道(H)上设有一第八PLC控制阀(5b)；以及一长单晶硅炉(6)，其上端经由该第八PLC控制阀(5b)与该第八输送管道(H)连接。