[发明专利]一种光传感有机场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种光传感有机场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括衬底、位于衬底之上的栅电极和位于栅电极之上的绝缘层；还包括位于绝缘层之上的自组装单分子修饰层以及位于自组装单分子层之上的源电极、漏电极和至少一根有机半导体化合物单晶线。构成自组装单分子层的材料为十八烷基三氯硅烷、八烷基三氯硅烷、苯基三氯硅烷等；有机半导体化合物优选6-甲基-蒽[2，3-b]苯并[d]噻吩。该有机半导体化合物单晶长度为80-300微米，直径为1-10微米。本发明提供的制备方法，制备工艺简单，成本低；制备得到的有机场效应晶体管对能量介于10～90微瓦每平方厘米之间的低能光源即有高的响应，具有高迁移率，高感光灵敏度和高的光电流与暗电流之比。

主权项

1、一种光传感有机场效应晶体管，包括衬底、位于所述衬底之上的栅电极和位于所述栅电极之上的绝缘层；其特征在于：所述有机场效应晶体管还包括位于所述绝缘层之上的自组装单分子层以及位于所述自组装单分子层之上的源电极、漏电极和至少一根有机半导体化合物单晶线；所述构成自组装单分子层的材料为十八烷基三氯硅烷、八烷基三氯硅烷、苯基三氯硅烷等；所述有机半导体单晶位于所述源电极和漏电极之间。