[发明专利]阵列基板及制造方法

摘要

本发明涉及一种阵列基板及制造方法，其中该阵列基板的制造方法包括：第一次掩模工艺，在玻璃基板上形成包含有栅线和栅电极的第一金属层；第二次掩模工艺，形成第一绝缘层，并且在第一绝缘层上面依次形成硅岛、用于形成断裂面的切面图案以及包含有数据线、源电极和漏电极的第二金属层，切面图案与数据线隔有设定距离，并且与数据线平行；第三次掩模工艺，形成第二绝缘层，并且通过剥离工艺形成与第二金属层的漏电极电连接的像素电极，像素电极的边缘位于切面图案上面。本发明克服了现有技术中沉积像素电极层时不能有效地形成像素电极层断裂的部分的缺陷，保证了在第三次掩模工艺中剥离工艺的正常进行，提高了工艺质量。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：第一次掩模工艺，在玻璃基板上形成包含有栅线和栅电极的第一金属层；第二次掩模工艺，在经过所述第一次掩模工艺的所述玻璃基板上形成用于覆盖所述第一金属层和所述基板的第一绝缘层，并且在所述第一绝缘层上面依次形成硅岛、用于形成断裂面的切面图案以及包含有数据线、源电极和漏电极的第二金属层，所述切面图案与所述数据线隔有设定距离，并且与所述数据线平行；以及第三次掩模工艺，在经过所述第二次掩模工艺的所述玻璃基板上形成用于覆盖整个所述玻璃基板的第二绝缘层，并且通过剥离工艺形成与所述第二金属层的漏电极电连接的像素电极，所述像素电极的边缘位于所述切面图案上面。