[发明专利]一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法无效
| 申请号： | 200910081093.4 | 申请日： | 2009-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101853903A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 樊晶美;王良臣;刘志强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法，使用选择性合金电镀方法制备垂直结构发光二极管，利用光阻材料在P型氮化镓面跑道内进行填充，使用选择性电镀工艺制备镍钨合金支撑衬底，利用激光剥离蓝宝石衬底，得到垂直结构发光二极管。本发明使用电镀镍钨合金的方法制备垂直结构发光二极管中的支撑衬底，从而改变了蓝宝石衬底较差的导电和散热性能对发光二极管电学以及光学性能的影响，同时减小了衬底与氮化镓之间的热失配度的差别。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氮化 垂直 结构 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：在蓝宝石衬底(1)上依次外延生长N-GaN层(2)、有源层(3)和P-GaN层(4)；步骤2：在P-GaN层(4)上涂敷一层光刻胶形成掩蔽层(5)，光刻该掩蔽层(5)形成台面掩蔽区，露出P-GaN层(4)的部分上表面(6)；步骤3：刻蚀该上表面(6)直至蓝宝石衬底(1)的上表面，形成台面(7)；步骤4：去除剩余的掩蔽层(5)形成氮化镓基片，并对该氮化镓基片进行清洗；步骤5：在清洗后的氮化镓基片表面淀积一层钝化层(8)，光刻形成P电极区域(10)；步骤6：在形成P电极区域(10)的氮化镓基片表面蒸发镍/钌，并进行金属剥离和合金，形成透明电极镍/钌(11)；步骤7：光刻腐蚀出P型加厚电极区域(13)，蒸发金属并去除光刻胶，形成加厚的电极铬/银/金(14)；步骤8：在跑道中填充光阻材料(15)，然后在P型氮化镓(4)的表面电镀镍/钨合金，形成镍钨合金支撑衬底(16)；步骤9：将蓝宝石衬底从氮化镓基片上剥离，得到镍钨合金支撑衬底的垂直结构发光二极管基片；步骤10：在得到的镍钨合金支撑衬底的垂直结构发光二极管基片的背面光刻和腐蚀出N电极区域(18)，蒸发金属并进行金属剥离，形成N电极铬/银/金(19)。
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