[发明专利]锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法无效
| 申请号： | 200910081473.8 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101858836A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 陈晓锋;陈诺夫;吴金良;张秀兰;柴春林;俞育德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32;C30B33/10;C30B29/40;C23F1/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种锰掺杂锑化镓单晶的化学腐蚀方法，其中包括以下步骤：步骤1：取一单晶片体，使用抛光粉对单晶片体进行机械抛光；步骤2：再将机械抛光后的单晶片体使用试剂进行化学抛光；步骤3：对机械抛光和化学抛光后的单晶片体，进行化学腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 锑化镓单晶 化学 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种锰掺杂锑化镓单晶的化学腐蚀方法，其中包括以下步骤：步骤1：取一单晶片体，使用抛光粉对单晶片体进行机械抛光；步骤2：再将机械抛光后的单晶片体使用试剂进行化学抛光；步骤3：对机械抛光和化学抛光后的单晶片体，进行化学腐蚀。
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