[发明专利]一种半金属合成反铁磁结构无效
| 申请号： | 200910081790.X | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101593601A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 徐晓光;张德林;姜勇 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;H01F10/14;G11B5/66;G11B5/84 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半金属合成反铁磁结构，属于磁存储技术领域。其特征在于：以所有Co占据A位置的A2BC型Heusler合金材料作为磁性层，制备出半金属层/钌层/半金属层的三明治结构，两个半金属层的磁化方向实现了反铁磁耦合。本发明的优点在于：在半金属合成反铁磁结构中，半金属材料中的钴元素可以与金属钌形成强反铁磁耦合，保证了三层膜的反铁磁耦合构型，同时，采用高自旋极化率，低饱和磁化强度和低矫顽力的半金属材料作为磁性层，能够使器件的磁翻转场降低，磁电阻率和热稳定性提高，进而使超高存储密度成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 合成 反铁磁 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半金属合成反铁磁结构，其特征在于：以半金属材料作为磁性层，制备出半金属层/钌层/半金属层的三明治结构，两个半金属层的磁化方向呈反铁磁耦合；具体结构为：上下二层均为半金属层，半金属层材料种类包括所有Co占据A位置的A2BC型Heusler合金材料，厚度为2～30纳米；中间一层为金属钌层，厚度为0.4～1纳米。
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