[发明专利]采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法无效
| 申请号： | 200910081983.5 | 申请日： | 2009-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101863447A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 唐龙娟;杨晋玲;解婧;李艳;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法，该方法包括：步骤1：对衬底进行清洗；步骤2：在衬底上淀积二氧化硅薄膜；步骤3：在淀积有薄膜的衬底上涂敷光刻胶，进行光刻；步骤4：对光刻胶进行减薄处理；步骤5：高温坚膜；步骤6：对光刻后的衬底进行DRIE干法刻蚀。本发明只需要一次光刻、刻蚀工艺就能获得倾斜的二氧化硅侧壁形貌，方法简单快捷，普适性强。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 光刻 刻蚀 制作 倾斜 侧壁 二氧化硅 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：对衬底进行清洗；步骤2：在衬底上淀积二氧化硅薄膜；步骤3：在淀积有薄膜的衬底上涂敷光刻胶，进行光刻；步骤4：对光刻胶进行减薄处理；步骤5：高温坚膜；步骤6：对光刻后的衬底进行DRIE干法刻蚀，获得侧壁倾斜的二氧化硅结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910081983.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于红葡萄酒酿制的液体复合酶及其应用
- 下一篇：一种加注机的回吸管
