[发明专利]一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法无效
| 申请号： | 200910082124.8 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101538062A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 常永勤;陆映东;杨林;崔兴达 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;B82B3/00;C23C16/40;C04B41/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得所需要的产物。在两次溶液法生长过程中可以对ZnO进行掺杂，实现ZnO半导体结的阵列化，且能实现在单个ZnO微米柱上生长纳米ZnO阵列。本方法不仅能够实现ZnO同质结阵列的生长，也可用来生长ZnO异质结阵列，且生长温度低，设备简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 zno 半导体 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米ZnO半导体结阵列，其特征在于，以ZnO为基，由下层ZnO微纳米柱阵列和上层ZnO纳米柱阵列构成，单根微纳米ZnO柱之上生长纳米ZnO柱阵列，同时下层微纳米ZnO柱也构成阵列，且上、下两层为不同元素掺杂或不同程度掺杂的ZnO柱阵列。
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