[发明专利]自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法有效
| 申请号： | 200910082350.6 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101866850A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李敏;吴永玉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/311;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法，该制程方法应用于覆盖非自对准金属硅化物器件的制程中，将富硅氧化物SRO膜沉积于有源区、多晶硅栅极以及隔离区之上，所述沉积厚度在50埃至150埃之间；在所述SRO膜上涂布光阻胶，对所述光阻胶进行曝光显影，形成图案化的光阻胶；以图案化的光阻胶为掩膜，刻蚀所述SRO膜。该结构包括厚度在50埃至150埃之间的SRO膜。本发明还公开了一种自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法。采用该结构及其制程方法能够有效解决刻蚀自对准硅化物区域阻挡膜时出现的STI loss、过刻蚀半导体衬底以及损伤侧壁层的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 硅化物 区域 阻挡 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准硅化物区域阻挡膜SAB的制程方法，应用于覆盖非自对准金属硅化物器件的制程中，该方法包括：将富硅氧化物SRO膜沉积于有源区、多晶硅栅极以及隔离区之上，所述沉积厚度在50埃至150埃之间；在所述SRO膜上涂布光阻胶，对所述光阻胶进行曝光显影，形成图案化的光阻胶；以图案化的光阻胶为掩膜，刻蚀所述SRO膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
