[发明专利]半导体场效应晶体管的测试方法及测试结构有效
| 申请号： | 200910082352.5 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101865971A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 沈良;邵芳;黄威森 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体场效应晶体管MOSFET的测试结构，由测试平台通过从MOSFET引出的接点垫pad对MOSFET进行测试，该结构包括：MOSFET和金属引线，其中，从MOSFET的两个源极分别直接引出MOSFET两个源极pad、通过金属引线从MOSFET1的两个漏极分别引出MOSFET两个漏极pad、通过金属线从MOSFET的两个栅极分别引出MOSFET两个栅极pad、及通过金属线从MOSFET的器件衬底引出两个衬底pad。本发明提供的测试结构及测试方法提高了MOSFET测试准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 场效应 晶体管 测试 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体场效应晶体管MOSFET的测试结构，由测试平台通过从MOSFET引出的接点垫pad对MOSFET进行测试，其特征在于，该结构包括：MOSFET和金属引线，其中，从MOSFET的两个源极分别直接引出MOSFET两个源极pad、通过金属引线从MOSFET1的两个漏极分别引出MOSFET两个漏极pad、通过金属线从MOSFET的两个栅极分别引出MOSFET两个栅极pad、及通过金属线从MOSFET的器件衬底引出两个衬底pad。
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