[发明专利]构造间隙壁的方法有效
| 申请号： | 200910082355.9 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101866852A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 沈满华;李国锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/311;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种构造间隙壁的方法，根据所要构造的间隙壁的厚度值w1以及主蚀刻时间最短的原则，确定所需的氮化硅薄膜厚度值w2，其中w2＞w1；在由单晶硅基底以及覆盖于单晶硅基底表面的多晶硅结构组成的晶片表面沉积一定厚度的氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的厚度大于厚度值w2；采用各向同性的蚀刻方式削减晶片表面的氮化硅薄膜厚度，使氮化硅薄膜厚度达到w2的大小；对所述晶片进行方向垂直于基底所在平面的主蚀刻过程，构造出厚度为w1的间隙壁。本发明方案可以有效抑制间隙壁的侧壁缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 构造 间隙 方法 | ||
【主权项】：
一种构造间隙壁的方法，包括如下步骤：根据所要构造的间隙壁的厚度值w1以及主蚀刻时间最短的原则，确定所需的氮化硅薄膜厚度值w2，其中w2＞w1；在由单晶硅基底以及覆盖于单晶硅基底表面的多晶硅结构组成的晶片表面沉积一定厚度的氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的厚度大于厚度值w2；采用各向同性的蚀刻方式削减晶片表面的氮化硅薄膜厚度，使氮化硅薄膜厚度达到w2的大小；对所述晶片进行方向垂直于基底所在平面的主蚀刻过程，构造出厚度为w1的间隙壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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