[发明专利]含门电极的纳米电极对的制备方法及所制备的纳米电极对无效
| 申请号： | 200910082472.5 | 申请日： | 2009-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101863450A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 黄海波;刘政;郑凯泓;孙连峰 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L21/28;H01L21/335;B82B1/00;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;徐丁峰 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种含有门电极的纳米电极对的制备方法以及通过该方法制备的纳米电极对。本发明的制备方法包括：(一)在基底上制备至少中心部分悬空的多壁碳纳米管十字架构型；(二)以碳纳米管十字架构型为阻挡层，围绕碳纳米管十字架构型的中心位置制备第一对电极和第二对电极，所述第一对电极和所述第二对电极的每对中的两个电极彼此相对；(三)去除碳纳米管十字架构型。本发明还提供利用上述方法制备的含门电极的纳米电极对。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含有门电极的纳米电极对的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在基底上制备碳纳米管十字架构型，所述碳纳米管十字架构型至少中心部分悬空于基底上方；步骤二、以所述碳纳米管十字架构型为阻挡层，围绕碳纳米管十字架构型的中心位置制备第一对电极和第二对电极，所述第一对电极和所述第二对电极的每对中的两个电极彼此相对；步骤三、去除所述碳纳米管十字架构型。
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