[发明专利]一种高稳定度的体声波传感器无效
| 申请号： | 200910082664.6 | 申请日： | 2009-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101644695A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 程利娜;李红浪;何世堂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02 |
| 代理公司： | 北京法思腾知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨小蓉 |
| 地址： | 100190北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高稳定度的体声波传感器，包括：压电基片、沉积在压电基片上下表面的上表面电极和下表面电极以及覆盖在所述上表面电极上面的敏感膜，其特征在于：所述敏感膜采用半导体型敏感材料。其中，该传感器采用体波模式，敏感膜采用半导体型敏感材料，声波从压电晶体的一面传递到另一面，在晶体内部传播。当加载的被测物与敏感膜发生反应后会导致声波的特性发生变化，通过检测这些变化而得到关于被测物的特性结论。本发明利用成熟的体波传感器设计技术和半导体型敏感材料研究成果，将体波传感器的灵敏性与半导体型敏感材料的稳定性充分结合，以求实现实用的高稳定度的体波传感器，与现有声表面波传感器相比，加工工艺更为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定 声波 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种高稳定度的体声波传感器，包括：压电基片、沉积在压电基片上下表面的上表面电极和下表面电极以及覆盖在所述上表面电极上面的敏感膜，其特征在于：所述敏感膜采用半导体型敏感材料。
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