[发明专利]提高β-Volt效应同位素微电池转化效率的方法无效
| 申请号： | 200910082804.X | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101540214A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 姜澜;朵英贤;陈海洋;李遂贤 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | G21H1/00 | 分类号： | G21H1/00 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 | 代理人： | 张利萍 |
| 地址： | 100081北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明为提高β-Volt效应同位素微电池转化效率的方法，属于微机电系统的微电源领域。本发明的方法是在β-Volt效应同位素微电池的封装外壳内侧镀上0.5微米的金材料反射层。或在β-Volt效应同位素微电池的金属镍层上侧镀上0.5微米的金材料反射层。在同位素电池输出功率一定的条件下，本发明的方法可减少同位素材料的使用量，提高同位素电池的转化效率可达15％以上；进一步降低为电池的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 volt 效应 同位素 电池 转化 效率 方法 | ||
【主权项】：
1.提高β-Volt效应同位素微电池转化效率的方法，其特征在于：方法一：在β-Volt效应同位素微电池的封装外壳内侧镀上0.5微米的金膜层；方法二：在β-Volt效应同位素微电池的金属镍同位素层上镀上0.5微米的金膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理工大学，未经北京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910082804.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：直流变频漆包线的生产方法
- 下一篇：一种车载音响系统及其散热方法
