[发明专利]电容装置、电阻装置和采用该装置的姿态测量系统有效
申请号: | 200910082903.8 | 申请日: | 2009-04-24 |
公开(公告)号: | CN101533840A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 王自强;陈虹;姜汉钧;张春;谢翔;贾晨;麦宋平;王志华;王红梅 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京华清益康科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/52;H01L23/29;H01L29/92;H01L29/00;G01B7/00 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所 | 代理人: | 陈 霁 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种电容装置、电阻装置和采用该装置的姿态测量系统,该电容和电阻装置基于集成电路工艺,电容装置包括:有一个或多个电容器件的集成电路,外露在集成电路的表面的一个或多个第一导电体与一个或多个电容器件的第一极板一一对应连接,形成于集成电路的表面和集成电路的封装之间的密封腔体覆盖一个或多个第一导电体和一个或多个第二导电体,互不相容的第三导电体和绝缘体位于密封腔体内。电阻装置包括:集成电路;外露在集成电路的表面的一个或多个第六导电体和一个或多个第七导电体,形成于集成电路的表面和集成电路的封装之间的密封腔体覆盖一个或多个第六导电体和一个或多个第七导电体,互不相容的第八导电体和绝缘体位于密封腔体内。 | ||
搜索关键词: | 电容 装置 电阻 采用 姿态 测量 系统 | ||
【主权项】:
1、一种电容装置,基于集成电路工艺,其特征在于,包括:集成一个或多个电容器件的集成电路;一个或多个第一导电体,集成在所述集成电路上并且外露在所述集成电路的表面,与所述一个或多个电容器件的第一极板一一对应连接;一个或多个第二导电体,集成在所述集成电路上并且外露在所述集成电路的表面;密封腔体,形成于所述集成电路的表面和集成电路的封装之间,覆盖所述一个或多个第一导电体和所述一个或多个第二导电体;第三导电体,位于所述密封腔体内;绝缘体,位于所述密封腔体内,与所述第三导电体互不相容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的